湾湾不是中国大陆，它没有受到欧美的技术封锁，台积电的芯片制造设备和🀙☹🄐英特尔的芯片制造设备没有什么代差。
之所以工艺制程差了整整一代，是因为最新的铜互联工艺还没有取得突破，当然还有其它方面的原因，整个芯片制程有上千道工序，各个芯片厂家都有自己的拿手技术，这一点，英😬特尔公司肯定要🆢👍比新🕨🌈生的台积电强上不止一筹。
在铜互联工艺以前，大家都是铝互联工艺，可是铝互联🜳🆋工艺到了05微米制程时，就基本达到了技术瓶颈，再也无法突破。
这事要说清楚很复杂，总之是铝材料本身的性质决定了铝线带宽以及时钟🄭频率。
&🚱🗎🚠nbsp 大家都知道铝的电阻是28μΩ，而铜的电阻是17μΩ，这就使得铜导线可以做得更薄更窄，相应的就提高了单位面🁑🅈积内晶体管的容量🃝😴🅥。
&nb🄭🀱sp🎫这就是05🉄🄳微米制程工艺向05微米制程工艺跨进的一个技术背景。
铜互联工艺是ib公司发明的，但是他们现在也只做到实验室验证的水平🄭，并没有真正实用。
正因为如此，ib公司在94😗🁣年就大肆向其他晶圆企业兜售他🞚们这种并不成熟的铜互联技术。
&👶🍓nbsp🌝 其中也向台积电兜售了，但是当时台积电可能是资金短缺的原因，没有出钱买，倒是同为晶圆代工企业的台联电出资购买了。
九👓十年代的台积电因为技术实力不够🅲👬雄厚，倒致制程工艺比英特尔低了一个级别。
&🚱🗎🚠nbsp 这使得他们只能代工一些低端工艺的芯片，🐍⚌利润非常微薄，总之，这个时候的台积电还在苦苦挣扎，还没有一飞🙧🌭冲天。
铜👓互联技术🉄🄳，原理很简单，看起来好像就是把铝换成铜🜳🆋这样简单，其实不是那么容易。
🙹🏖 🌝 其中最大的问题就是铜不与晶体管相粘，就是这个☯🂶简单的问题难住了所有的晶圆企业。
要知道芯片内部是非常非常的精密，在我们人眼看不到的内部，如☒⚡💾果用一千倍的电子显微镜观看，里面的晶体管与金属电路，是🅦🈴纵横交错，密密麻麻。
特别是金属电路，不是一层那么简单，而是多🔑⛣🜑达两三层。
&nbs🀡p 在这么精密的狭窄空间内，要想解决这个铜线与晶体管不粘连的问题，确实非常困难。
&🚱🗎🚠nbsp 在没有前人经验的基础上，科学家们只能通过广撒网的方式，一一实验各种🀙☹🄐粘接材料。
&nb🄭🀱sp刘美娟是穿🉄🄳越者，也是集成电路方面的行内人，她当然知之甚详，台积电公司也会在99的时候，解决这个问题。
🎫其实很简🙟单，就是要先镀上一层薄薄的籽晶材料，也就是单晶铜，单晶铜🄭与sio2有良好的附着性。